Tunneling is used to alter the placement of electrons in the floating gate. An electrical charge, usually 10 to 13 volts, is applied to the floating gate. The charge comes from the column, or bitline, enters the floating gate and drains to a ground.
터널링은 FLOATING GATE의 전기적 상태를 변화시키기위해 사용된다. 보통 10에서 13볼트로 전기적 충전은 FLOATING GATE를 위한 것이다. 충전용 전기는 BIT LINE에서 온고 이 전기는 FLOATING GATE에서 DRAINS을 지나 그라운드로 간다.
This charge causes the floating-gate transistor to act like an electron gun. The excited electrons are pushed through and trapped on other side of the thin oxide layer, giving it a negative charge. These negatively charged electrons act as a barrier between the control gate and the floating gate. A special device called a cell sensor monitors the level of the charge passing through the floating gate. If the flow through the gate is greater than
50 percent of the charge, it has a value of 1. When the charge passing through drops below the 50-percent threshold, the value changes to 0. A blank EEPROM has all of the gates fully open, giving each cell a value of 1.
이러한 충전은 FLOATING GATE 트랜지스터가 전자총과 같이 행동하게 한다. 활성 전자는 얇은 산화막에 들어가게 되고 그곳에 갇히게 된다, 이렇게되면 산화막은 마이너스로 충전이되게 된다. 이렇게 충전된 산화막은 전자들은 CONTROL GATE와 FLOATING GATE사이에서 벽을 형성하게 된다. 셀센서라고 불리는 특별한 장치가 있는데 이 장치로 FLOATING GATE의 전기적 충전 상태를 감시할수 있다. 만약 게이트의 전기적 흐름이 50퍼센트를 넘어간다면 1의 값을 가지게 된다. 다시 전기적흐름이 50퍼센트보다 작아지게 되면 0의 값을 가지게 된다. 비어있는 EEPROM의 셀들은 1의 값을 가지게 된다.